第三代半導(dǎo)體具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能，契合節(jié)能減排、智能制造、信息安全等國(guó)家重大戰(zhàn)略需求，是支撐新一代移動(dòng)通信、新能源汽車、高速軌道列車、能源互聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新發(fā)展和轉(zhuǎn)型升級(jí)的重點(diǎn)核心材料和電子元器件，已成為全球半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)新的競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)。
2019年全球泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍處于低迷期，但第三代半導(dǎo)體技術(shù)、產(chǎn)品、市場(chǎng)、投資均呈現(xiàn)較高增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。技術(shù)產(chǎn)品方面，產(chǎn)品性能、可靠性趨于穩(wěn)定，客戶接受度提高。SiC 材料方面，高品質(zhì) 4 英寸襯底全面商業(yè)化，6 英寸襯底的商業(yè)化也在持續(xù)推進(jìn)。SiC 功率模塊化產(chǎn)品推出速度加快，多款車規(guī)級(jí)產(chǎn)品值得關(guān)注。
產(chǎn)業(yè)方面，國(guó)際企業(yè)紛紛加強(qiáng)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的布局，通過(guò)調(diào)整業(yè)務(wù)領(lǐng)域，擴(kuò)大產(chǎn)能供給，整合并購(gòu)，增強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)能力。全球迎來(lái)擴(kuò)產(chǎn)熱潮，SiC 成為巨頭布局熱點(diǎn)，產(chǎn)能大幅增加。中游企業(yè)開(kāi)始提前鎖定上游材料貨源，科銳與除羅姆之外的主要半導(dǎo)體器件廠商都簽訂了長(zhǎng)期供貨協(xié)議。車企牽頭，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品逐漸進(jìn)入各汽車集團(tuán)的主流供應(yīng)鏈。產(chǎn)品供應(yīng)上量，價(jià)差持續(xù)縮小，SiC、GaN 產(chǎn)品性價(jià)比開(kāi)始凸顯，部分產(chǎn)品與 硅（Si）產(chǎn)品的價(jià)差已經(jīng)縮小到觸及“甜蜜點(diǎn)”。
市場(chǎng)應(yīng)用方面，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品滲透速度加快，應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)張，汽車電子、5G 通信、快充電源及軍事應(yīng)用等幾大動(dòng)力帶領(lǐng)市場(chǎng)快速增長(zhǎng)。
總體而言，盡管 2019 年外部宏觀環(huán)境不利，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體處于低谷期，但第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)逆勢(shì)增長(zhǎng)，國(guó)內(nèi)外產(chǎn)業(yè)均步入發(fā)展快車道。
國(guó)際第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)展
1. 技術(shù)穩(wěn)定提升，應(yīng)用級(jí)產(chǎn)品受關(guān)注
(1) 商業(yè)化材料供應(yīng)穩(wěn)定，性能持續(xù)提升
2019 年，SiC、GaN襯底、外延質(zhì)量繼續(xù)提升，尺寸不斷擴(kuò)大，缺陷密度持續(xù)降低，性價(jià)比進(jìn)一步獲得下游認(rèn)可。
SiC 襯底及同質(zhì)外延方面，高品質(zhì) 6 英寸材料商業(yè)化已經(jīng)普及?？其J全面轉(zhuǎn)向 6 英寸 SiC 產(chǎn)品，首批 8 英寸 SiC 襯底制樣完成，預(yù)計(jì)2022 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。GaN材料方面， 目前 SiC基 GaN外延材料實(shí)現(xiàn) 4英寸與 6英寸共存，并逐步向6英寸過(guò)渡。由于 Si襯底成本低廉， 隨著 Si基 GaN外延材料和工藝技術(shù)的不斷進(jìn)步， Si基 GaN射頻器件有望在5G微 站和移動(dòng)終端占領(lǐng)市場(chǎng)， 650V功率器件在快充、白色家電等消費(fèi)類 功率器件在快充、白色家電等消費(fèi)類 功率器件在快充、白色家電等消費(fèi)類市場(chǎng)具有吸引力。
(2) 多款器件新品推出，應(yīng)用級(jí)產(chǎn)品受矚目器件供應(yīng)迅速上量。
Mouser 數(shù)據(jù)顯示，2019 年各廠家在售的各類 SiC、GaN 產(chǎn)品（含功率電子和微波射頻，不含 LED）已經(jīng)接近1300 款，較 2017 年增加了 6 成，僅 2019 年就新增了 321 款新品。
1）SiC 電力電子器件及模塊
2019 年 SiC 功率模塊化產(chǎn)品推出速度明顯加快，多款車規(guī)級(jí)產(chǎn)品值得關(guān)注。
SiC 電力電子器件（包括 SBD 和 MOSFET）耐壓水平和電流極值水平基本與2018年持平。商業(yè)化的SiC SBD最高耐壓水平為3300V，但 90%以上的產(chǎn)品耐壓范圍仍然集中在 650V 和 1200V，工作電流集中在 60A 以下，1700V 和 3300V 產(chǎn)品較少。商業(yè)化的 SiC MOSFET產(chǎn)品指標(biāo)與去年基本一致，目前最高耐壓為 1700V，工作電流在 65A以下，主要有 650V、900V、1200V 以及 1700V 四個(gè)電壓水平。隨著技術(shù)的進(jìn)步，產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)升級(jí)換代。
由于目前商業(yè)化的SiC SBD/MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋了大部分的應(yīng)用需求，因此相較于2018年，2019年推出的新產(chǎn)品數(shù)量有所減少。值得關(guān)注的是，2019年推出的4款SiC SBD及MOSFET均符合車規(guī)級(jí)（AEC-Q101）標(biāo)準(zhǔn)，應(yīng)用于新能源汽車、光伏等領(lǐng)域的電力電子器件市場(chǎng)。
SiC功率模塊推出加速。2019 年推出的SiC模塊（包括全SiC及混合SiC模塊）新品數(shù)量占到了新品總數(shù)的一半以上，其中全SiC模塊最高工作電壓為3300V（三菱），這也意味著SiC器件應(yīng)用邁入新的階段。2019年，羅姆研發(fā)的1700V/250A全SiC功率模塊，可在室外發(fā)電系統(tǒng)和工業(yè)高壓電源的應(yīng)用中發(fā)揮重要作用，且其應(yīng)用效果顯示，采用新模塊后的系統(tǒng)節(jié)能效果和可靠性提升顯著，這意味著1700V SiC模塊在性能上已可以替代1700V Si IGBT模塊。
企業(yè)著重推出SiC應(yīng)用模塊，并推出針對(duì)SiC電路的周邊器件，羅姆推出可獨(dú)立保護(hù)系統(tǒng)的半導(dǎo)體保險(xiǎn)絲，具備獨(dú)立過(guò)電流保護(hù)功能。新能源汽車的發(fā)展對(duì)于驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)提出了更高的要求，例如小型化、高效化等。2019 年，國(guó)內(nèi)外各大零部件供應(yīng)商或整車企業(yè)都在著手開(kāi)發(fā)或量產(chǎn)SiC電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。
2）GaN電力子器件及模塊
GaN功率器件應(yīng)用產(chǎn)品加快推廣。商業(yè)化的 Si基 GaN電力子 電力子 器件最高電壓仍然是 650V，但室溫下（ 25℃）電流達(dá)到了 150A（GaN Systems-下圖未標(biāo)出）,相比 2018年提升了 25%。900V的 GaN FET目前已經(jīng)開(kāi)始提供試樣。
30A以上的以上的 GaN HEMT產(chǎn)品導(dǎo)通電阻和Si產(chǎn)品差不多，都在0.1Ω以下，在性能上已具備較大競(jìng)爭(zhēng)力。
預(yù)計(jì)未來(lái)5-10年，GaN HEMT電力電子產(chǎn)品將由目前的600/650 V提升至1200 V，隨后將處于平穩(wěn)狀態(tài)。目前，垂直型GaN SBD電壓達(dá)到600V-1000V，垂直型GaN p-n二極管達(dá)到5kV，預(yù)計(jì)10年內(nèi)GaN p-n二極管可達(dá)到10kV。
2. 汽車電子+5G 提速，打開(kāi)市場(chǎng)增長(zhǎng)空間
(1) 汽車電子市場(chǎng)加速導(dǎo)入三代半產(chǎn)品
1）第三代半導(dǎo)體電力電子器件市場(chǎng)規(guī)模達(dá) 5.8 億美元
綜合參照 Yole 與 IHS Markit 的數(shù)據(jù)，2019 年 SiC 電力電子器件市場(chǎng)規(guī)模約為 5.07 億美元，GaN電力電子器件市場(chǎng)規(guī)模約為0.76億美元，兩者合計(jì)市場(chǎng)規(guī)模約在5.8億美元左右，其主要驅(qū)動(dòng)力為新能源汽車和消費(fèi)電子。而據(jù)中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院數(shù)據(jù)，全球功率半導(dǎo)體分立器件的銷售額約為230.91億美元，綜合Yole的數(shù)據(jù)，SiC、GaN電力電子器件的滲透率約為2.5%。整體來(lái)看，第三代半導(dǎo)體盡管進(jìn)展較快，但仍然處于較早期的產(chǎn)品導(dǎo)入階段。
Yole預(yù)測(cè)，SiC電力電子器件的市場(chǎng)規(guī)模2023年將增長(zhǎng)至14億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率接近30%。驅(qū)動(dòng)因素是新能源汽車應(yīng)用，得益于SiC MOSFET性能和可靠性的提高，3-5年內(nèi)，SiC MOSFET有望在電動(dòng)汽車傳動(dòng)系統(tǒng)主逆變器中獲得廣泛應(yīng)用，未來(lái)5年內(nèi)驅(qū)動(dòng)SiC器件市場(chǎng)增長(zhǎng)的主要因素將由SiC二極管轉(zhuǎn)變?yōu)镾iC 晶體管。
IHS Markit預(yù)測(cè)，GaN電力電子器件市場(chǎng)2024年預(yù)計(jì)將達(dá)到6億美元，主要來(lái)自于快充市場(chǎng)的增長(zhǎng)。另一方面，GaN電力電子器件憑借成本優(yōu)勢(shì)，有望在逆變器市場(chǎng)取得較快增長(zhǎng)。
2）新能源汽車市場(chǎng)備受矚目
全球汽車功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)步增長(zhǎng)。根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院、英飛凌數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)汽車半導(dǎo)體市場(chǎng) 2020 年將達(dá)到 70 億美元，復(fù)合增長(zhǎng)率 6.47%。電動(dòng)車市場(chǎng)將是 SiC 器件成長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力，包括汽車本身的功率半導(dǎo)體部分以及相關(guān)的充電基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)中的功率半導(dǎo)體部分。據(jù)國(guó)際能源署（IEA）預(yù)測(cè)，到 2030 年，全球銷售的純電動(dòng)汽車臺(tái)數(shù)將達(dá)到 2017 年的 15 倍，增至 2150 萬(wàn)輛。
新能源汽車的功率半導(dǎo)體價(jià)值大幅提升。新能源汽車系統(tǒng)架構(gòu)中涉及到功率半導(dǎo)體應(yīng)用的組件包括：電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、車載充電器（OBC）/非車載充電樁、電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)（車載 DC/DC）。隨著新能源汽車的發(fā)展，對(duì)功率半導(dǎo)體器件的需求量將會(huì)日益增加。根據(jù)英飛凌的統(tǒng)計(jì)，平均一輛傳統(tǒng)燃油車使用的半導(dǎo)體器件價(jià)值為 355 美元，而新能源汽車使用的半導(dǎo)體器件價(jià)值為 695 美元，幾乎增加了一倍，其中功率器件增加最為顯著，由 17 美元增加至 265 美元，增加了近 15 倍。目前，市場(chǎng)上銷售的新能源汽車所搭載的功率半導(dǎo)體多數(shù)為硅基器件，如硅基 IGBT 和硅基 MOSFET，隨著技術(shù)和產(chǎn)品的成熟，第三代半導(dǎo)體將逐步替代大部分硅基產(chǎn)品。
第三代半導(dǎo)體電力電子器件加速電動(dòng)汽車市場(chǎng)滲透。2019 年，以 SiC 為代表的第三代半導(dǎo)體電力電子器件在電動(dòng)汽車領(lǐng)域的應(yīng)用取得較快進(jìn)展。國(guó)際上有超過(guò) 20 家汽車廠商在車載充電機(jī)（OBC）中使用 SiC 器件，特斯拉 Model 3 的逆變器采用了意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的全 SiC 功率模塊，各汽車制造都計(jì)劃于未來(lái)幾年在主逆變器中應(yīng)用 SiC 電力電子器件。而充電基礎(chǔ)設(shè)施方面，臺(tái)達(dá)聯(lián)手通用等研發(fā)400kW 超快速充電系統(tǒng)（XFC）中使用 SiC 功率半導(dǎo)體器件。電驅(qū)方面，科銳聯(lián)手采埃孚推進(jìn)電驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域合作，雙方達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議，推進(jìn)采用 SiC 基逆變器的電驅(qū)動(dòng)動(dòng)力總成開(kāi)發(fā)。
3）GaN快充市場(chǎng)快速開(kāi)啟
2019年，GaN電力電子器件在快充市場(chǎng)的應(yīng)用同樣火熱，推出GaN PD快充充電器的廠商數(shù)量和產(chǎn)品與去年相比有了爆發(fā)式的增長(zhǎng)。同時(shí)，越來(lái)越多的消費(fèi)電子廠商正在布局GaN PD快充，市場(chǎng)趨勢(shì)逐漸明朗。
據(jù)CASA Research不完全統(tǒng)計(jì)，目前國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)至少有32家生產(chǎn)制造GaN PD快充產(chǎn)品的廠商，可提供的GaN PD快充產(chǎn)品超過(guò)50款，并且大部分廠商接受定制需求。市面上GaN PD 快充產(chǎn)品大部分功率在30W-100W，能滿足大部分的手機(jī)、平板電腦的充電功率需求。而國(guó)內(nèi)最值得關(guān)注的是OPPO和小米的新產(chǎn)品中開(kāi)始采用GaN PD的解決方案。
GaN電力電子器件具有更高的功率密度，采用GaN的充電器體積?。▋H為原來(lái)的1/4）、重量輕、轉(zhuǎn)換效率高、發(fā)熱低、安全性強(qiáng)，較普通充電器有顯著優(yōu)勢(shì)。根據(jù)內(nèi)部電路架構(gòu)的不同，約使用1-2顆的GaN電力電子器件，平均轉(zhuǎn)換效率約在90%左右。目前主要瓶頸在于成本、供應(yīng)鏈穩(wěn)定性以及可靠性方面，這些無(wú)法通過(guò)器件本身完成驗(yàn)證，而消費(fèi)電子用量巨大，一旦出現(xiàn)問(wèn)題，將產(chǎn)生召回問(wèn)題，導(dǎo)致巨大的經(jīng)濟(jì)成本和聲譽(yù)成本。隨著市場(chǎng)開(kāi)啟，供應(yīng)上量，這些問(wèn)題都將逐步解決。據(jù)Gartner數(shù)據(jù)，全球智能設(shè)備年均新增出貨量超20 億臺(tái)，隨著GaN在該市場(chǎng)滲透提速，未來(lái)幾年快充市場(chǎng)將成為GaN電力電子最大的推動(dòng)力。
國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)展
1. 量產(chǎn)技術(shù)漸穩(wěn)定，商業(yè)化進(jìn)程加速
2019 年我國(guó)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域技術(shù)已經(jīng)基本完成從小批量的研發(fā)向規(guī)?；?、商業(yè)化生產(chǎn)的成功跨越。各環(huán)節(jié)技術(shù)、性能趨于穩(wěn)定，規(guī)?；a(chǎn)工藝、產(chǎn)品性價(jià)比等逐步得到市場(chǎng)認(rèn)可。行業(yè)對(duì)技術(shù)的關(guān)注點(diǎn)不僅是創(chuàng)新研發(fā)，還包括工程化技術(shù)、可靠性驗(yàn)證及規(guī)模商用。
(1) 材料獲下游認(rèn)可，技術(shù)指標(biāo)穩(wěn)定提升
SiC 襯底方面，4 英寸導(dǎo)電和半絕緣襯底已經(jīng)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，6 英寸導(dǎo)電襯底小批量供貨，已經(jīng)研制出 8 英寸襯底。目前，國(guó)內(nèi)主流襯底廠商均有能力制備低微管密度襯底，自主的 6 英寸 N 型 4H-SiC 單晶襯底材料技術(shù)，微管密度降低到 0.13 個(gè)/cm2，4 英寸半絕緣 SiC 襯底批量商用，表面粗糙度 0.082nm，供貨過(guò)萬(wàn)片。外延方面，SiC 同質(zhì)外延目前商業(yè)化的尺寸為 4-6 英寸，基平面位錯(cuò)（BPD）≤1cm-2，最大厚度可達(dá) 200μm。
GaN襯底方面，2-3英寸襯底小批量產(chǎn)業(yè)化，4英寸可提供樣品，綜合指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。GaN異質(zhì)外延方面，用于電力電子器件的Si基GaN外延基本實(shí)現(xiàn)6英寸產(chǎn)業(yè)化和8英寸材料的樣品研發(fā)，650V產(chǎn)品的外延厚度通常在5μm。Si基GaN外延，實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)無(wú)裂紋10 μm硅基GaN薄膜，位錯(cuò)密度低于6×107 cm-2。基于Si基GaN厚膜，通過(guò)紅外反射和拉曼偏振光譜聯(lián)合測(cè)量，克服了GaN強(qiáng)烈的剩余射線帶導(dǎo)致的測(cè)量難題，首次給出C在GaN中替代N位的直接證據(jù)。用于微波射頻器件的SiC基GaN外延以4英寸為主，并逐步向6英寸發(fā)展。
(2) 器件技術(shù)追趕國(guó)外，商業(yè)供應(yīng)鏈打通
SiC 器件方面，國(guó)內(nèi)外產(chǎn)品涵蓋的電壓等級(jí)已經(jīng)基本無(wú)差別。SiC SBD 覆蓋了 600V-3300V 的電壓范圍，商業(yè)化的 SiC SBD 目前最高耐壓6.5kV，工作電流 25A，實(shí)現(xiàn)批量供貨；SiC MOSFET 方面，推出多款應(yīng)用于新能源汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)的 1200V 大功率器件及模塊產(chǎn)品，全 SiC 功率模塊最高規(guī)格為1200V/600A。車用 SiC 電機(jī)控制器、車用自主 1200V SiC 芯片及模塊、車用高溫大電流 SiC MOSFET 雙面銀芯片等技術(shù)取得重要突破。同時(shí)，已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了 60kW 全 SiC 直流充電機(jī)，整體效率達(dá) 96%，相對(duì)硅基樣機(jī)提升 2%；研制出滿足公交充電站應(yīng)用的 400kW 全 SiC 直流充電機(jī)樣機(jī)；實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn) SiC 充電設(shè)備的量產(chǎn)。
2. 國(guó)產(chǎn)替代加速，市場(chǎng)快速增長(zhǎng)
(1) 國(guó)產(chǎn)替代加速，市場(chǎng)加快啟動(dòng)
大中華區(qū)是主要市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)。中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從2015年開(kāi)始高速增長(zhǎng)，從終端市場(chǎng)看未來(lái)應(yīng)用將廣泛擴(kuò)展到人工智能、新能源汽車、自動(dòng)駕駛、5G技術(shù)、車聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。第三代半導(dǎo)體器件在新興應(yīng)用領(lǐng)域的滲透迅猛，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)化進(jìn)度顯著快于國(guó)外。從各國(guó)際巨頭的財(cái)報(bào)中反映出來(lái)，科銳、羅姆、英飛凌等的財(cái)報(bào)中均反映出大中華市場(chǎng)都成為其重要驅(qū)動(dòng)力，均在加大對(duì)中國(guó)市場(chǎng)的應(yīng)對(duì)力度。
國(guó)產(chǎn)替代獲得發(fā)展機(jī)會(huì)。自2018年貿(mào)易摩擦以來(lái)，“中興事件”、“華為事件”等系列事件，警醒了業(yè)內(nèi)對(duì)硬科技缺失的重視，從國(guó)家層面到企業(yè)均開(kāi)始推進(jìn)半導(dǎo)體核心技術(shù)國(guó)產(chǎn)自主化，實(shí)現(xiàn)供應(yīng)鏈安全可控，這加速了半導(dǎo)體器件的國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程。以華為為代表的應(yīng)用企業(yè)均在調(diào)整供應(yīng)鏈，扶持國(guó)內(nèi)企業(yè)，2019年三安集成、山東天岳、天科合達(dá)、泰科天潤(rùn)、國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾、蘇州能訊等國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體企業(yè)的上中游產(chǎn)品均獲得了難得的下游用戶驗(yàn)證機(jī)會(huì)，進(jìn)入了多個(gè)關(guān)鍵廠商供應(yīng)鏈，逐步開(kāi)始了以銷促產(chǎn)的“良性循環(huán)”。
(2) 電力電子器件市場(chǎng)規(guī)模近 40 億元
1）滲透率提升，市場(chǎng)規(guī)模近 40 億元
受經(jīng)濟(jì)形勢(shì)下行和國(guó)內(nèi)應(yīng)用市場(chǎng)的共同作用，我國(guó)半導(dǎo)體電力電子市場(chǎng)規(guī)模繼續(xù)擴(kuò)大，但增速略有下滑。據(jù) CASA Research 統(tǒng)計(jì)，2019 年國(guó)內(nèi)市場(chǎng) SiC、GaN 電力電子器件的市場(chǎng)規(guī)模約為 39.3 億元，較上年同比增長(zhǎng) 40.97%。這意味 SiC、 GaN 器件在功率器件市場(chǎng)滲透率在 1.5%到 3.0%之間，逐年提高。
2019年國(guó)內(nèi)除光伏逆變、新能源汽車等持續(xù)推進(jìn)以外，消費(fèi)電子的快充電源和云計(jì)算數(shù)據(jù)中心的商業(yè)電源市場(chǎng)成為新的應(yīng)用亮點(diǎn)。應(yīng)用領(lǐng)域拓展、市場(chǎng)滲透加速、國(guó)產(chǎn)化率提升，三大發(fā)展趨勢(shì)將推動(dòng)國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)未來(lái)幾年的高速增長(zhǎng)。CASA Research預(yù)計(jì)2024年我國(guó)電力電子器件應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將近200億元，未來(lái)5年的復(fù)合增速將超過(guò)40%。
2）新能源汽車、消費(fèi)電子及工商業(yè)電源應(yīng)用高速增長(zhǎng)
從各細(xì)分市場(chǎng)來(lái)看，市場(chǎng)成長(zhǎng)動(dòng)力主要來(lái)自新能源汽車、消費(fèi)電子和工商業(yè)電源應(yīng)用。
新能源汽車和充電樁市場(chǎng)是 SiC 功率器件市場(chǎng)增長(zhǎng)的重要?jiǎng)恿Α?/span>我國(guó)作為全球最大的新能源汽車市場(chǎng)，2019 年隨著下游特斯拉等品牌開(kāi)始大量推進(jìn) SiC 解決方案，國(guó)內(nèi)的廠商也快速跟進(jìn)，以比亞迪為代表的整車廠商開(kāi)始全方位布局，推動(dòng)第三代半導(dǎo)體器件的在汽車領(lǐng)域加速。第三代半導(dǎo)體器件在充電樁領(lǐng)域的滲透快于整車市場(chǎng)，主要應(yīng)用是直流充電。2019 年，新能源汽車細(xì)分市場(chǎng)的 SiC 器件應(yīng)用規(guī)模（含整車和充電設(shè)施）約為 4.2 億元，較上年增長(zhǎng)了 70%，未來(lái)五年預(yù)計(jì)將保持超過(guò) 30%的年均增長(zhǎng)。
在消費(fèi)電子方面，2019年的亮點(diǎn)在于快充電源作為新應(yīng)用帶來(lái)的市場(chǎng)預(yù)期。根據(jù)CASA 測(cè)算，2020年第三代半導(dǎo)體電力電子器件應(yīng)用在快充市場(chǎng)的市場(chǎng)規(guī)模超過(guò)1億元。目前終端廠家如OPPO和小米已經(jīng)開(kāi)始在新機(jī)型中采用，而中國(guó)作為最大的消費(fèi)電子（特別是手機(jī)）生產(chǎn)地，一旦GaN快充方案成為終端主流方案，無(wú)線充電市場(chǎng)也將隨之推展開(kāi)，未來(lái)幾年將成為GaN功率電子應(yīng)用最大的推動(dòng)力，預(yù)計(jì)未來(lái)幾年消費(fèi)電子應(yīng)用將保持翻倍的增速。
2019 年，第三代半導(dǎo)體電力電子器件在工業(yè)及商業(yè)電源的市場(chǎng)規(guī)模接近 9 億元，增速超過(guò) 30%。受 5G 浪潮、汽車電氣化、物聯(lián)網(wǎng)、智慧城市、軍用雷達(dá)等宏觀要素推動(dòng)，終端的消費(fèi)電子、汽車電子帶來(lái)更新?lián)Q代需求；而云端數(shù)據(jù)中心催化了服務(wù)器市場(chǎng)的高速增長(zhǎng)；同時(shí) 5G 基站新浪潮帶來(lái)了通訊電源市場(chǎng)的爆發(fā)。一方面受通訊電源、服務(wù)器電源的市場(chǎng)高速增長(zhǎng)影響，另一方面在工商業(yè)電源中成本敏感度稍低，隨著 SiC、GaN 產(chǎn)品的成本下降，大量解決方案的出臺(tái)，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品的性價(jià)比開(kāi)始凸顯，因此工商業(yè)領(lǐng)域，特別是毛利較高的高端市場(chǎng)，新技術(shù)的滲透較預(yù)期的快。預(yù)計(jì)未來(lái)五年將繼續(xù)保持超過(guò) 30%的增長(zhǎng)，到 2024 年第三代半導(dǎo)體在該領(lǐng)域的市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò) 30 億元。
展望2020年，受新型冠狀病毒肺炎疫情和政經(jīng)風(fēng)險(xiǎn)交織等因素影響，全球經(jīng)濟(jì)預(yù)計(jì)繼續(xù)下滑。中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在高速發(fā)展中需要關(guān)注錯(cuò)位發(fā)展、質(zhì)量提升、市場(chǎng)波動(dòng)和資本較熱的問(wèn)題。從國(guó)家層面加快頂層設(shè)計(jì)和部署，啟動(dòng)國(guó)家2030重大項(xiàng)目，夯實(shí)支撐產(chǎn)業(yè)鏈的公共研發(fā)與服務(wù)等基礎(chǔ)平臺(tái)，加速推動(dòng)產(chǎn)業(yè)生態(tài)環(huán)境的完善。
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