氧化鋅(ZnO)是很好的GaN薄膜(藍(lán)光LED)襯底材料，具有60mev的激子束縛能以及室溫下3.73ev帶隙使之成為紫外以及可見光發(fā)光材料．同時(shí)由于具有可見區(qū)透明，機(jī)電耦合系數(shù)大，能使氣體分子在其表面的吸附－解析等性質(zhì),有望在高峰值能量的能量限制器、大直徑高質(zhì)量的GaN的襯底、未來的5GHz之外的無線通信、高電場設(shè)備、高溫高能電子器件、高電場設(shè)備、高溫高能電子器件等方面得到廣泛應(yīng)用.
|
生長方法
|
水熱法
|
|
晶體結(jié)構(gòu)
|
六方
|
|
晶格常數(shù)(?)
|
a=3.252 c=5.313
|
|
晶向
|
<0001>、<11-20>、<10-10>±0.5o
|
|
尺寸（mm）
|
25×25×0.5、10×10×0.5、10×5×0.5、5×5×0.5
|
|
可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸的襯底
|
|
拋光
|
單拋片、雙拋片或切割片
|
|
表面粗糙度
|
Surface roughness(Ra):<=5?
|
|
可提供原子粒顯微鏡（AFM）檢測報(bào)告
|
|
物理性質(zhì)
|
密度（g/cm3）
|
5.7
|
|
硬度（mohs）
|
4
|
|
熔點(diǎn)（℃）
|
1975
|
|
熱膨脹系數(shù)(/℃)
|
6.5 x 10-6 //a, 3.7 x 10-6 //c
|
|
比熱容（Cal/g /℃）
|
0.125
|
|
熱電常數(shù)(mv/k)
|
1200 @ 300℃
|
|
熱導(dǎo)(cal/cm/k)
|
0.006
|
|
透過范圍
|
0.4-0.6 um > 50% at 2mm
|
|
包裝
|
100級潔凈袋，1000級超凈室
|
單質(zhì)