磷化銦InP單晶基片
InP單晶材料是最重要的化合物半導(dǎo)體材料之一,是光纖通信技術(shù)中的非常關(guān)鍵的材料，基于InP的激光二極管（LD）、發(fā)光二極管（LED）和光探測器等器件實現(xiàn)了光纖通信中信息的發(fā)射、傳播、放大、接受等功能。InP同時也非常適用于高頻器件，如高電子遷移率晶體管（HEMT）和異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）等方面。由于InP本身具有的優(yōu)越特性,使其在光纖通信、微波、毫米波、抗輻射太陽能電池、異質(zhì)結(jié)晶體管等諸多高技術(shù)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用.
|
生長方法
|
液封提拉法LEC
|
|
晶體結(jié)構(gòu)
|
立方
|
|
晶格常數(shù)(nm)
|
0. 587
|
|
晶向
|
<100>、<110>、<111>±0.5o、或特殊方向
|
|
摻雜程度
|
輕摻、中摻、重摻
|
|
摻雜元素
|
不摻雜
|
摻S
|
摻Zn
|
摻Te
|
|
導(dǎo)電類型
|
N
|
N
|
P
|
N
|
|
帶隙（eV）
|
1.34
|
|
電阻率（Ω·cm）
|
|
|
|
|
|
|
遷移率(cm2/(v·s))
|
(3.5-4)×103
|
(2.0-2.4)×103
|
(1.3-1.6)×103
|
70-90
|
≥2000
|
|
載流子密度（/cm3）
|
(0.4-2)×1016
|
(0.8-3)×1018
|
(4-6)×1018
|
(0.6-2)×1018
|
107-108
|
|
位錯密度（EPD）（/cm2）
|
<5×104
|
3×104
|
2×103
|
2×104
|
3×104
|
|
尺寸
|
Φ2″×0.5mm、Φ3″×0.5mm，可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸
|
|
表面
|
單拋片、雙拋片或切割片
|
|
厚度(um)
|
500，厚度公差+-10um，可定制
|
|
TTV (Total Thickness
Variation)
|
|
|
TIR (Total Indicated
Reading)
|
|
|
Bow
|
|
|
Warp
|
|
|
包裝
|
100級潔凈袋，1000級超凈室
|
單質(zhì)