磷化鎵簡稱Gap，是由元素鎵(Ga)與元素磷(P)合成的Ⅲ—Ⅴ族化合物半導體，常溫下其純度較高的為橙紅色透明Chemicalbook固體，磷化鎵是制作半導體可見發(fā)光器件的重要材料，主要用作制造整流器，晶體管、光導管、激光二極管和致冷元件等。
基本參數(shù)
材質(zhì)：磷化鎵
型號：GaP
特性：絕緣性好
用途：光學，半導體，航空
種類：單晶，多晶，半導體
品牌：泛美金屬
加工定制：是
產(chǎn)地：廣東
詳細說明
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產(chǎn)品名稱：
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磷化鎵(GaP)晶體基片
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產(chǎn)品簡介：
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技術參數(shù)：
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晶體結(jié)構(gòu)：
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立方 a =5.4505
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生長方法:
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提拉法
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密度:
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4.13 g/cm3
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熔點:
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1480 ℃
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熱膨脹系數(shù)：
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5.3 x10-6
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摻雜物質(zhì)：
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摻S ；不摻雜
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熱傳導率：
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2~8 x1017/cm3 ；4~ 6 x1016/cm3
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電阻率W.cm：
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~0.03 ；~0.3
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EPD (cm-2 )：
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< 3x10E5 ；< 3x10E5
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常規(guī)尺寸：
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常規(guī)晶向：<111>；常規(guī)尺寸：10x10x0.5mm、dia2"x0.5mm；拋光情況：單拋或雙拋;
注：可按客戶需求定制相應的方向和尺寸。
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備注：
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1000級超凈室100級超凈袋
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單質(zhì)