GaAs屬于III-V族化合物半導(dǎo)體材料，其能隙與太陽光譜的匹配較適合，且能耐高溫。
與硅太陽電池相比，GaAs太陽電池具有更好的性能。
砷化鎵電池與硅光電池的比較
1、光電轉(zhuǎn)化率：
砷化鎵的禁帶較硅為寬，使得它的光譜響應(yīng)性和空間太陽光譜匹配能力較硅好。
硅電池的理論效率大概為23%，而單結(jié)的砷化鎵電池理論效率達(dá)到27%，而多結(jié)
的砷化鎵電池理論效率更超過50%。實(shí)際應(yīng)用中硅的效率在18%左右，砷化鎵卻能達(dá)到40%。
2、耐溫性
常規(guī)上，砷化鎵電池的耐溫性要好于硅光電池，砷化鎵電池在250℃的條件下仍可以正常
工作，但是硅光電池在200℃就已經(jīng)無法正常運(yùn)行。
我司提供空間用電池和地面電站用電池。
1. 空間用：轉(zhuǎn)換效率η≥30%
2. 地面用：轉(zhuǎn)換效率η≥40%
單質(zhì)
