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產(chǎn)品中心
材料
半導(dǎo)體單晶
發(fā)布時(shí)間 : 2015-10-19 瀏覽次數(shù) : 8696

半導(dǎo)體單晶                                                                                    咨詢報(bào)價(jià)

Crystal Doping Type Carrier Concentr
[cm-3]
EPD
[cm-2]
Growth Technique &
Diameter
Info
GaAs
砷化鎵單晶
None
Si
Cr
Te
Zn
SI
N
SI
N
P
/
1017 ... 1019
/
1017 ... 1019
1017 ... 1019
< 1x105 CZ, LEC &
HB
?3"
GaP
磷化鎵單晶
S
Te
Zn
N
N
P
1017 ... 3x1018
1017 ... 3x1018
1017 ... 5x1018
< 105 CZ & LEC
?50mm
GaSb
銻化鎵單晶
None
Zn
Te
Hi-R
Hi-R
P
P+
N
P
N
2x1016
1-5x1018
2-6x1017
1-5x1016
1-5x1016
< 103 CZ & LEC
?3"
Ge
鍺單晶
None
Sb
P
N
< 5x103 CZ/Br
?1" - ?4"
InAs
砷化銦單晶
None N 1-2x1016 < 5x104

LEC
?30mm

InP
磷化銦單晶
None
Sn
S
Fe
Zn
N
N
N
SI
P
1-2x1016
1-3x1018
1-4x1018
/
0.6-4x1018
< 5x104 LEC
?2"
Si
硅單晶
None
B
As
P
Sb

P
N
N
N
CZ/FZ
?2" - ?6"
CdS
硫化鎘單晶
None Markov
?2"
詳情
CdSe
硒化鎘單晶
None Markov
?2"
詳情
CdTe
碲化鎘單晶
None Br 詳情
ZnS
硫化鋅單晶
None Markov
?30mm
詳情
ZnSe
硒化鋅單晶
None Markov
?30mm
詳情
ZnTe
碲化鋅單晶
None Markov
?30mm
詳情


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