分子式:AsGa
分子量:144.6446
性狀：立方晶系閃鋅礦型結(jié)晶。無氣味
熔點（oC）：1238
砷化鎵（化學式：GaAs）是鎵和砷兩種元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半導體材料，用來制作微波集成電路（例如單晶微波集成電路（英語：Monolithic microwave integrated circuit）（MMIC））、紅外線發(fā)光二極管、半導體激光器和太陽電池等元件。
砷化鎵是最重要的半導體材料，外觀呈亮灰色，具金屬光澤、性脆而硬。常溫下比較穩(wěn)定。加熱到873K時，開始生成氧化膜。常溫下，砷化鎵不與鹽酸、硫酸、氫氟酸等反應，但能與濃硝酸反應，也能與熱的鹽酸和硫酸作用。
單質(zhì)