供應(yīng)磷化鎵(GaP)晶體基片、單晶片_廠家品牌_深圳泛美金屬，歡迎廣大客戶來電咨詢洽談交易，18928450898
基本參數(shù)
材質(zhì)：磷化鎵
型號：GaP
特性：絕緣性好
用途：光學(xué)，半導(dǎo)體，航空
種類：單晶，多晶，半導(dǎo)體
品牌：泛美金屬
加工定制：是
產(chǎn)地：廣東
產(chǎn)品名稱：
磷化鎵(GaP)晶體基片
產(chǎn)品簡介：
技術(shù)參數(shù)：
晶體結(jié)構(gòu)：
立方 a =5.4505
生長方法:
提拉法
密度:
4.13 g/cm3
熔點:
1480 ℃
熱膨脹系數(shù)：
5.3 x10-6
摻雜物質(zhì)：
摻S ；不摻雜
熱傳導(dǎo)率：
2~8 x1017/cm3 ；4~ 6 x1016/cm3
電阻率W.cm：
~0.03 ；~0.3
EPD (cm-2 )：
< 3x10E5 ；< 3x10E5
常規(guī)尺寸：
常規(guī)晶向：<111>；常規(guī)尺寸：10x10x0.5mm、dia2"x0.5mm；拋光情況：單拋或雙拋;
注：可按客戶需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。
備注：
1000級超凈室100級超凈袋
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