特點(diǎn)
第一布里淵區(qū)為截角八面體，導(dǎo)帶極小值位于布里淵區(qū)中心，電子有效質(zhì)量為0.077m，m為電子慣性質(zhì)量；價(jià)帶極大值位于布里淵區(qū)中心，空穴有效質(zhì)量約0.8m，是直接帶隙半導(dǎo)體。室溫時(shí)，禁帶寬度為1.34eV。較純晶體電子和空穴遷移率分別為0.46m2/(V·S)和1.5×10-2m2/(V·S)。摻入II族、IV族或Ⅵ族原子可制成P型或n型材料。本征載流子濃度1.0×1020/m3，本征電阻率8×10-4Ω·m。590nm光的折射率為3.45。其熔點(diǎn)1070℃，可用區(qū)域熔煉或直拉法制備單晶；用擴(kuò)散、離子注入、外延、蒸發(fā)等方法制備p-n結(jié)、異質(zhì)結(jié)、肖特基結(jié)；用分子束外延、金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積方法可制備超晶格材料。是制備長波長(1.3～1.6μm)InGaAsP激光器的襯底材料。
主要用途
InP已經(jīng)成為非常重要的半導(dǎo)體材料之一，主要應(yīng)用于光電子技術(shù)和微波技術(shù)領(lǐng)域，而另一大有發(fā)展前途的應(yīng)用領(lǐng)域是太陽能動(dòng)力技術(shù)。
制備方法
磷化銦單晶的制備操作步驟包括如下兩道：
(1)合成磷化銦多晶。合成操作是讓高純的磷蒸氣與熔融高純銦直接發(fā)生作用，多采用水平定向結(jié)晶法和區(qū)域熔煉法。
(2)制備摻雜磷化銦單晶。一般采用高壓溶液提拉法，是將盛有磷化銦多晶的石英坩堝置于高壓設(shè)備內(nèi)進(jìn)行，用電阻絲或高頻加熱，惰性氣體保護(hù)(壓力3×106Pa)下讓晶體生長。為了提高InP單晶質(zhì)量，降低位錯(cuò)密度，可通過摻雜(如Sn、S、Zn、Fe、Ga、Sb等)以減少位錯(cuò)。摻雜是往多晶中放人中間摻人物，使之在熔融和結(jié)晶過程中得予擴(kuò)散實(shí)現(xiàn)。
供應(yīng)磷化銦晶片、磷化銦單晶、磷化銦晶圓襯底和外延片供應(yīng)廠商_深圳泛美金屬公司18928450898。
行業(yè)動(dòng)態(tài)
