根據(jù)RESEARCH AND MARKETS發(fā)布的“氮化鎵半導(dǎo)體器件市場2023年全球預(yù)測”稱,氮化鎵(GaN)器件市場預(yù)計將從2016年的165億美元,增長至2023年的224.7億美元,年復(fù)合增長率為4.6%。
驅(qū)動其增長的主要因素包括:GaN在消費電子和汽車領(lǐng)域廣泛的應(yīng)用,GaN材料的寬帶隙特性促進(jìn)了創(chuàng)新應(yīng)用,GaN在RF射頻電子器件方面的成功應(yīng)用,以及在軍事、國防和航空航天應(yīng)用領(lǐng)域中采用的氮化鎵半導(dǎo)體器件日益增多。然而,碳化硅在高功率半導(dǎo)體器件中的優(yōu)先選擇預(yù)計將成為整個GaN市場的潛在限制。預(yù)計這將限制未來幾年的市場增長。
01
光電半導(dǎo)體器件類,GaN占比最大
光電半導(dǎo)體器件類別中,全球的GaN器件市場在2016年占有最大的市場份額,這主要歸因于其廣泛的應(yīng)用市場,例如消費領(lǐng)域、工業(yè)領(lǐng)域和汽車行業(yè)。
GaN發(fā)光二極管廣泛用于筆記本電腦和筆記本顯示器、移動顯示器、投影儀、電視機和顯示器、標(biāo)牌和大型顯示器等。使用氮化鎵基的LED作為室內(nèi)和室外照明設(shè)備,例如車燈和信號燈、汽車內(nèi)部照明、霧燈、停車燈和汽車行業(yè)的頂燈,也促成了更大的市場規(guī)模。
02
預(yù)測期內(nèi),驅(qū)動市場將出現(xiàn)大幅增長
與硅基功率器件相比,氮化鎵基功率驅(qū)動器的市場預(yù)計在預(yù)測期間會顯著增長,這是因為其具有諸如最小功率損耗、高速開關(guān)小型化和高擊穿電壓等優(yōu)異特性。此外,配電系統(tǒng)、工業(yè)系統(tǒng)、重型電力系統(tǒng)、渦輪機、重型機械、先進(jìn)的工業(yè)控制系統(tǒng)和機電計算/計算機系統(tǒng)等; 還有高壓直流(HVDC)、智能電網(wǎng)電力系統(tǒng)、風(fēng)力渦輪機、風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)、太陽能發(fā)電系統(tǒng)、電動和混合動力電動車等幾個新的電力應(yīng)用(清潔技術(shù))也是其較快增長的主要原因。
03
預(yù)測期內(nèi),亞太地區(qū)將會出現(xiàn)大幅增長
亞太地區(qū)在預(yù)測期內(nèi)將占據(jù)氮化鎵半導(dǎo)體器件市場的最大份額。這是由于消費市場、工業(yè)和汽車等各種行業(yè)對LED的需求日益增長。此外,電動汽車充電和電動汽車生產(chǎn)市場,以及可再生能源發(fā)電的增加正在推動亞太地區(qū)的市場。
來源:RESEARCH AND MARKETS
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